| 型号： | MMBT5551-7 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS NPN 160V 350MW SMD SOT23-3 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MMBT5551-7 PDF |  |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT5551 MMBT5551-7DITR MMBT5551DITR MMBT5551DITR-ND MMBT5551TR MMBT5551TR-ND |